近日，我院2015级本科生刘沁如在研究非易失性电荷陷阱存储器方面取得突破，其成果发表在SCI一区期刊2D Materials上，影响因子7.042。刘沁如与我院研究生陈锐为共同第一作者。

该研究论文题目为“Design of high performance MoS₂-based non-volatile memory via ion beam defect engineering”。本研究工作通过热氧化法在硅基底上制备二氧化硅层，再利用N离子注入实现一步法构建隧穿层、电荷俘获层和阻挡层堆叠层。然后，通过机械剥离的方法在衬底上转移MoS₂。最后，通过对比Ar离子注入的器件，探讨这种电荷捕获型存储器的性能与工作原理。二维材料MoS­­₂作为其沟道材料以利用其高载流子迁移率和与氧化硅适配的功函数。以此制备的器件具有大的窗口、高的响应速度和优秀的保持特性。

刘沁如为我院2015级微电子科学与工程专业本科生，在近代物理专题课程的学习中，刘沁如同学逐渐对纳米器件这一领域的研究产生了浓厚的兴趣，随即和班级导师肖湘衡教授联系,肖老师爽快的答应了她进组的请求。去年暑假，刘沁如与同组的研究生学长陈锐一起开始了对于新型电荷俘获型存储器件的研究。在肖老师的精心指导和大力支持下，经过不断的实验探索，最终使得该研究顺利完成并发表在SCI一区期刊2D Materials上。

谈起论文的发表，刘沁如同学说“感觉还是很激动的，这么久的研究终于有了成果，也在其中体会到了科研的乐趣与写文章的‘痛苦’”。同时，她也谦虚的表示这应该只算自己的第“0.5篇”SCI，希望能够继续学好英语，做好科研，早日有真正属于自己的成果。

谈起刘沁如同学，班级导师肖湘衡教授给予了她很高的评价。学习中积极主动，研究时胆大心细。在进行科学研究时具有很强的动手能力和应变能力，能够主动接受和学习新事物，勇于质疑并经常能提出建设性意见；冷静思考实验过程中遇到的问题，找到解决方案；不懂的问题不会武断操作，而是勇于提问，虚心向师兄师姐求教，并做好笔记。刘沁如同学的努力也得到了实验室里老师、学长学姐们的一致认可。目前，她也在积极申请出国深造的机会，也祝愿她能够实现自己的梦想！相关论文链接：

https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/ab115c