报告题目：钙钛矿光电器件

报告时间：2017年9月23日上午10;00

报告地点：新楼5楼多功能厅

报告人： 游经碧，教授

报告人所在单位： 中国科学院半导体所

摘要：金属卤化物钙钛矿材料作为一类新型半导体光电材料，既具有吸收系数高、载流子扩散长度长，又具有发光效率高等优点，在太阳能电池、发光二极管等方面都具有很好的发展前景。近年来，钙钛矿光电转换器件研究取得了巨大的进展，其太阳能光电转换效率已达到22.1%，可与传统的硅电池媲美；发光二极管外量子效率已超过10%， 并保持迅猛发展态势。本报告将总结目前国内外钙钛矿光电器件研究的进展和急需解决的问题。同时介绍我们在钙钛矿太阳能电池和发光二极管方面所开展的一系列工作，包括通过钙钛矿薄膜生长调控、界面修饰等方法提高钙钛矿光电器件的转换效率和稳定性。

报告人简介：游经碧，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。2005年于湖北大学电子科学技术系获学士学位，2010年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2010-2015年在加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作，随后进入中国科学院半导体研究所工作。目前研究兴趣包括：新一代高效太阳能电池、新型半导体材料光电器件。近年来，在包括Nature 系列(10篇), Account of Chemical Research, Adv. Mater等学术杂志上发表论文70余篇, 所发表论文被他引11000余次。 先后获得中国科学院院长优秀奖(2010年)，中国科学院优秀博士论文(2011年)，加州大学洛杉矶分校博士后研究校长奖(2012年)。

邀请人：方国家教授