报告时间：2015年12月04日下午15:00-16:00

报告地点：新物理楼五楼多功能报告厅

报告人简介：

张鼎张教授，1986年在国立台湾师范大学获学士学位，1989在国立台湾大学获得硕士学位，1994年在国立台湾交通大学获得博士学位。1998年至1999年任国家纳米组件实验室研究员及组长，2002年至今，为国立中山大学物理系特聘教授。曾获得台湾经济部『第四届国家产业创新奖』、台湾经济部『第八届纳米产业科技菁英奖』，教育部『产学合作奖』。

张鼎张教授在半导体纳米器件方面有卓越的研究成果，共发表400余篇SCI国际期刊，并获得200余项专利，近五年(2010-迄今)以通讯作者共计发表206篇SCI国际期刊，是施敏先生重要的合作者之一。发表国际一流期刊Applied Physics Letters共57篇，IEEE Electron Device Letter共41篇。他目前已连续获得四次国科会纳米国家型大计划（相当于NSFC的重大项目）。

张教授长期与台积电、群创光电、联电、友达光电四大厂合作计划。在显示器方面，他与友达光电合作，共同开发的IGZO-TFT已成功地应用在AM-OLED TV显示器面板，成果已在2011年日本横滨的光电显示国际博览会中展示。在IC制造方面，张教授与台积电共同开发0.13微米SOI快速功率的MOSFETs器件，直接应用在手机芯片上。

报告简介 ：

张教授多年来致力于半导体电子器件之研究与开发，包含电阻式存储器器件(RRAM)、前瞻晶体管器件(MOSFET)、薄膜晶体管(TFT)显示器器件，且本实验室与台积电(TSMC)、联电(UMC)、友达光电(AUO)、群创光电(Innolux)等公司皆有产学合作计划。

在电阻式存储器方面，电阻式存储器为目前最具发展潜力的记忆器件，兼具快闪存储器的非挥发特性、DRAM存储器的快速写入/抹除速度，以及高度的可微缩性，极有机会取代NAND Flash以及DRAM，成为下一世代的存储器市场主流技术。但电阻式存储器在电阻切换的稳定度上(包含高电阻态及低电阻态)、以及操作电流的下降仍有改进的空间。我们在纳米国家型计划中，研发前瞻电阻式存储器器件:包括(1)具纳米点之电阻式存储器(2)纳米延伸电极结构(3)氧离子局限层结构(4)超临界流体低温修补技术，成功改善电阻转换的稳定度与可靠度，降低操作电流，并提出相关物理机制模型。

前瞻晶体管器件方面，主要开发14纳米鳍式场效晶体管器件(14 nm FinFET)，包括绝缘体上硅(SOI)、应变硅通道(strained-Si channel)、以及high K & metal gate等晶体管，藉由物理机制的厘清，研发前瞻晶体管器件，解决晶体管微缩化所产生的问题。于显示器器件方面，开发前瞻薄膜晶体管(TFT)显示器器件，研究包括非晶硅、多晶硅、以及氧化物半导体(InGaZnO)等薄膜晶体管的物理特性，并利用研究结果研发高效能的显示器器件，应用在主动式有机发光二极管显示器(AM-OLED)与液晶显示器(AM-LCD)。

在产学合作经验分享方面，由于本人与台积电(TSMC)、联电(UMC)、友达光电(AUO)、群创光电(Innolux)皆有密切的产学合作，经由产学合作，我们可以将业界的资源带进实验室，再藉由实验室的执行与研究能力，可以解决业界迫切待解决的问题，其原因与物理机制则可撰写有用的论文，而其解决的方法可作为专利与Know-How。经由产学合作计划的执行，我们可以培育业界所需的优秀研发人才，培育无产学落差的研究生，创造学校与厂商双赢。

邀请人：廖蕾教授